章・節 | レッスンタイトル |
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第1章 | 半導体物性(半導体の材料と電気特性) |
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1 | ■元素記号および原子構造(半導体の元素) ・周期律表 ・半導体に使われる元素 ・半導体の性質 |
2 | ■半導体の材料(不純物半導体(P形半導体,N形半導体)) ・半導体の材料 ・P形半導体 ・N形半導体 ・化合物半導体 |
3 | ■半導体の電気的特性に関する設問(温度特性) ・半導体の特性 ・温度特性 ・光と半導体 ・磁気と半導体、他 |
4 | ■半導体の構造に関する設問(半導体のバンド構造) ・半導体の種類と構造(1) ・半導体の種類と構造(2) ・空乏層 ・フェルミ準位 |
第2章 | 半導体デバイス(半導体デバイスの種類と働き) |
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1 | ■ダイオード(ダイオードの基本特性) ・ダイオードの種類 ・ダイオードの性質 ・LED ・整流 |
2 | ■トランジスタとFET(トランジスタ) ・トランジスタの種類 ・トランジスタの働きv
・電気的特性 ・回路計算 |
3 | ■その他デバイス(1)(半導体集積回路) ・半導体集積回路の種類 ・論理素子 ・組み合わせ回路 ・メモリ |
4 | ■その他デバイス(2)(センサ、ICチップ) ・半導体センサ(1) ・半導体センサ(2) ・ICチップ ・その他の半導体デバイス |
第3章 | 半導体集積回路製造プロセス(半導体集積回路ができるまで) |
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1 | ■半導体製造プロセスの概要(前工程と後工程) ・前工程と後工程の意味 ・ムーアの法則 ・CVD法 ・PVD法 |
2 | ■洗浄・乾燥ウェット・イオン注入・熱処理プロセス(洗浄・乾燥技術) ・RCA洗浄 ・ウェ-ハの汚染 ・クリーンルーム、フィルタ ・クラス |
3 | ■リソグラフィー・エッチング・皮膜・平坦化プロセス(皮膜法) ・成膜法(1) ・成膜法(2) ・リソグラフィー ・エッチング |
4 | ■後工程プロセス(集積回路の構造) ・後工程 ・集積回路の構造 ・リードフレーム ・ワイヤボンディング |
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第4章 | ディジタルIC(半導体集積回路であるディジタルICの種類と働き) |
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1 | ■基本的なロジックICの種類と諸特性(論理記号) ・NOT ・AND ・OR ・NAND、他 |
2 | ■基本機能ブロック(フリップフロップ(FF)の種類と動作原理) ・フリップフロップの種類 ・RSフリップフロップ ・Dフリップフロップ ・JKフリップフロップ |
3 | ■組み合わせ回路(エンコーダ・デコーダ) ・エンコーダとデコーダの働き ・エンコーダ ・デコーダ ・回路 |
4 | ■ICの種類(PLD) ・PLD ・FPGA ・ゲートアレイ ・LSI、他 |